Ｓｏｎｙ　ＴＡ−Ｎ７．　３台目修理記録

同時修理品　ＴＡ−Ｅ７　　　　　　　　　　２０１９／１２／１４持込　　　　２０２０／２／１４完成

Ａ．　修理前の状況 片側音出ない。 B．　原因 前回修理でヒューズ抵抗を普通の抵抗（酸金）に置き換えた為に、Ｌ側終段Ｖ−ＦＥＴ（縦型電解トランジスター）焼損 他各部経年劣化。 Ｃ．　修理状況 終段Ｖ−ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）交換。 バイアス／バランスＶＲ交換。 電解コンデンサー交換（オーディオコンデンサー使用）。 全フューズ入抵抗交換。 配線手直し、補強。 入力ＲＣＡ端子交換。 電源コードを取り、３Ｐインレット取付。 終段Ｖ−ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）保護の為ヒューズ挿入。 ＳＰ接続リレー交換。 突入電流抑制リレー交換 Ｄ．　使用部品 終段Ｖ−ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）　　　　　　　　　　６個、ＴＡ−Ｎ７．　４台目より。 ＴＲ（トランジスター）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１２個 バイアス／バランス半固定ＶＲ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４個。 フューズ入り抵抗　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３０個。 電解コンデンサー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２２個 。 フイルムコンデンサー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６個。 テフロン絶縁ＲＣＡ端子　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４個。 ３Ｐインレット　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１個、FURUTECH製FURUTECH　FI-10(R) ロジウムメッキ。 ＳＰ接続端子　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２組４個。 ヒューズ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４本。 リレー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３個 Ｔ．　ドライブＴＲ（トランジスター）　Ｓｏｎｙ　２ＳＡ８３５　を測定。 Ｅ．　調整・測定 Ｆ．　修理費　　　　１２０，０００円　　オーバーホール修理。　Ｖ−ＦＥＴ入手費用別途。 Ｙ．　ユーザー宅の設置状況 Ｓ．　Ｓｏｎｙ　ＴＡ−Ｎ７　の仕様（マニアル・カタログより）

Ａ．　修理前の状況。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。 Ａ１１．　点検中　前から見る

Ａ１２．　点検中　前右から見る

Ａ１３．　点検中　後から見る

Ａ１４．　点検中　後左から見る

Ａ１５．　点検中　上から見る

Ａ１６．　点検中　シールドを取り、上から見る

Ａ２１．　点検中　下前から見る

Ａ２２．　点検中　下前左から見る

Ａ２３．　点検中　下後から見る

Ａ２４．　点検中　下後右から見る

Ａ２５．　点検中　下から見る。

Ａ２６．　点検中　下から見る。　Ｌ側音出ずの修理票、１９８５／７／８．

Ａ２７．　点検中　下蓋を取り、下から見る。

Ａ２８．　点検中　下蓋を取り、下から見る。　Ｌ側ＡＭＰ基板固定ビスの締め不十分？

Ａ３１．　点検中　電源コード。

Ａ３２．　点検中　電源コードを取り、３Ｐインレット取り付け可能。

Ａ４１．　点検中　入力ＲＣＡ端子。

Ａ４２．　点検中　入力ＲＣＡ端子。　テフロン絶縁製に交換可能。

Ｃ．　修理状況。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。 Ｃ０．　修理中　前パネルを倒し、修理中。

Ｃ１１．　修理前　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロック

Ｃ１２．　修理後　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロック

Ｃ２１．　修理前　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏

Ｃ２２．　修理（半田補正）後　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏　半田を全部やり直す。

Ｃ２３．　完成Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏　　洗浄後防湿材を塗る

Ｃ２４．　修理中　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板。　ヒューズ抵抗６本交換。

Ｃ２５．　修理中　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏。

Ｃ３１．　修理前　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２裏

Ｃ３２．　修理（半田補正）後　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２裏　半田を全部やり直す

Ｃ３３．　完成Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２裏　　洗浄後防湿材を塗る

Ｃ３４．　修理前　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロックラッピング。

Ｃ３５．　修理後　Ｒ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロックラッピング。半田を染み込ませる。

Ｃ４１．　修理前　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロック

Ｃ４１２．　修理中　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）、２個不良。

Ｃ４２．　修理後　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロック。　４台目から全て移動する。

Ｃ５１．　修理前　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏

Ｃ５２．　修理（半田補正）後　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏　半田を全部やり直す。

Ｃ５３．　完成Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板裏　　洗浄後防湿材を塗る

Ｃ５４．　修理中　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板。　ヒューズ抵抗６本交換。

Ｃ５５．　修理中　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板。　ヒューズ抵抗６本交換。

Ｃ６１．　修理前　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２

Ｃ６１２．　修理前　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２。出力ＴＲ（トランジスター）２個不良。

Ｃ６１３．　修理後　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２。

Ｃ６２．　修理前　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２裏

Ｃ６３．　修理（半田補正）後　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２裏　半田を全部やり直す

Ｃ６４．　完成Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）基板２裏　　洗浄後防湿材を塗る

Ｃ６５．　修理前　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロックラッピング。

Ｃ６６．　修理後　Ｌ側終段V-ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）ブロックラッピング。半田を染み込ませる。

Ｃ７１．　修理前　Ｒ側アンプ基板

Ｃ７２．　修理後　Ｒ側アンプ基板。　リレー１個、ＴＲ（トランジスター）４個、半固定ＶＲ２個、電解コンデンサー１０個交換。

Ｃ７３．　修理前　Ｒ側アンプ基板ラッピング。

Ｃ７４．　修理後　Ｒ側アンプ基板ラッピング。半田を染み込ませる。

Ｃ７５．　修理前　Ｒ側アンプ基板ラッピング２。

Ｃ７６．　修理後　Ｒ側アンプ基板ラッピング２。半田を染み込ませる。

Ｃ７７．　修理前　Ｒ側アンプ基板裏

Ｃ７８．　修理（半田補正）後　Ｒ側アンプ基板裏　半田を全部やり直し、洗浄後。

Ｃ７９．　完成Ｒ側アンプ基板裏　　防湿材を塗る

Ｃ８１．　修理前　Ｌ側アンプ基板

Ｃ８２．　修理後　Ｌ側アンプ基板。　リレー１個、ＴＲ（トランジスター）４個、半固定ＶＲ２個、電解コンデンサー１０個交換。

Ｃ８３．　修理前　Ｌ側アンプ基板ラッピング。

Ｃ８４．　修理後　Ｌ側アンプ基板ラッピング。半田を染み込ませる。

Ｃ８５．　修理前　Ｌ側アンプ基板ラッピング２。

Ｃ８６．　修理後　Ｒ側アンプ基板ラッピング２。半田を染み込ませる。

Ｃ８７．　修理前　Ｌ側アンプ基板裏

Ｃ８８．　修理（半田補正）後　Ｌ側アンプ基板裏　半田を全部やり直す

Ｃ８９．　完成Ｌ側アンプ基板裏　　洗浄後防湿材を塗る

Ｃ９１．　修理前　電源ブロック電解コンデンサー下。

Ｃ９２．　修理後　電源ブロック電解コンデンサー下。 　　　　　　　　　　フイルムコンデンサー４個追加。終段Ｖ−ＦＥＴ（縦型電解効果トランジスター）保護ヒューズ４本挿入。

ＣＡ１．　修理前　電源整流基板

ＣＡ２．　修理後　電源整流基板。　電解コンデンサー４個交換、　フイルムコンデンサー２個追加。

ＣＡ３．　修理前　電源整流基板裏

ＣＡ４．　修理（半田補正）後　電源整流基板裏　半田を全部やり直す

ＣＡ５．　完成電源整流基板裏　　洗浄後防湿材を塗る

ＣＢ１．　修理前　突入電流抑制回路基板

ＣＢ２．　修理後　突入電流抑制回路基板。　リレー１個交換。

ＣＢ３．　修理前　突入電流抑制回路基板裏

ＣＢ４．　修理（半田補正）後　突入電流抑制回路基板裏　半田を全部やり直す

ＣＢ５．　完成突入電流抑制回路基板裏　　洗浄後防湿材を塗る

ＣＣ１．　修理前　電源コード。

ＣＣ２．　修理中　３Ｐインレット取り付け穴加工。

ＣＣ３．　修理中　３Ｐインレット取り付け穴加工。

ＣＣ４．　修理後　電源コードを取り、３Ｐインレット取り付け。　　FURUTECH　FI-10(R)ロジウムメッキ使用。

ＣＣ５．　修理後　３Ｐインレット裏の配線。　アースはしっかりと取る。

ＣＤ１．　修理前　ＲＣＡ端子

ＣＤ２．　修理（交換）後　ＲＣＡ端子

ＣＥ．　交換部品

ＣＦ１．　修理後　下から見る

ＣＦ２．　修理後　下から見る

Ｔ．　ドライブＴＲ（トランジスター）　Ｓｏｎｙ　２ＳＡ８３５　を測定。 　　　　　　このＴＲ（トランジスター）は現在の亥製品と足の並びが異なり、かつ放熱器付きなので、交換しにくい Ｔ１．　半導体アナライザ　ＤＣＡ７５　Peak Electronic Design Limited．　で測定。　ｈＦＥ＝８１で問題無。

Ｔ２．　Ｓａｎｗａ　ＡＴ４５　で測定。　ｈＦＥ＝５で使用不可。

Ｅ．　調整・測定。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。 Ｅ０．　出力・歪み率測定・調整 　　　　「見方」。 　　　上段中　右側ＳＰ出力を「Audio Analyzer　Ｐａｎａｓｏｎｉｃ　ＶＰ−７７２３Ｂ」により測定。 　　　　　　　　　表示ＬＥＤ、　左端＝メモリーＮｏ、　中左＝周波数測定、　中右＝出力電圧測定、　右端＝歪み率測定。 　　　上段右端　ＶＰ−７７２３Ｂの基本波除去出力を「ｏｗｏｎ　ＳＤＳ８２０２（２００ＭＨＺ）」で「ＦＦＴ分析」表示。 　　　下段中　左側ＳＰ出力を「Audio Analyzer　Ｐａｎａｓｏｎｉｃ　ＶＰ−７７２３Ｂ」により測定。 　　　　　　　　　表示ＬＥＤ、　左端＝メモリーＮｏ、　中左＝周波数測定、　中右＝出力電圧測定、　右端＝歪み率測定。 　　　下段右端　ＶＰ−７７２３Ｂの基本波除去出力を「ｏｗｏｎ　ＳＤＳ６０６２（２００ＭＨＺ）」で「ＦＦＴ分析」表示。 　　　下段左端　オーディオ発振器　ＶＰ−７２０１Ａ　より５０Ｈｚ〜１００ｋHｚの信号を出し（歪み率＝約０．００３％）、 ATT＋分配器を通し、ＡＭＰに入力。 　　　よって、ダイアル設定出力レベルより低くなります。測定機器の仕様や整備の様子はこちら、「ＶＰ−７７２３Ｂ」 「ＶＰ−７２０１Ａ」。 FFT画面の見方はこちら。

Ｅ１．　５０Ｈｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．００７２２％歪み。 　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．００７３％歪み。 　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝２５０Ｈｚ、右＝１ｋＨｚ。

Ｅ２．　１００Ｈｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．００７５３％歪み。 　　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．００７３７％歪み。 　　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝２５０Ｈｚ、右＝１ｋＨｚ。

Ｅ３．　５００Ｈｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０１３９％歪み。 　　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０１３７％歪み。 　　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝２．５ｋＨｚ、右＝１０ｋＨｚ。

Ｅ４．　１ｋＨｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０２１６％歪み。 　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０２１６％歪み。 　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝２．５ｋＨｚ、右＝１０ｋＨｚ。

Ｅ５．　５ｋＨｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０５６８％歪み。 　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０５７３％歪み。 　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝２．５ｋＨｚ、右＝１０ｋＨｚ。

Ｅ６．　１０ｋＨｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０５７２％歪み。 　　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２９Ｖ＝１０５Ｗ出力、　０．０５７７％歪み。 　　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝２５ｋＨｚ、右＝１００ｋＨｚ。

Ｅ７．　５０ｋＨｚ入力、Ｒ側ＳＰ出力電圧２８Ｖ＝　９８Ｗ出力、　０．０３０１％歪み。 　　　　　　　　　　　　　Ｌ側ＳＰ出力電圧２８Ｖ＝　９８Ｗ出力、　０．０３０４％歪み。 　　　　　　　　　　　　　　「ＦＦＴ分析」のオシロのカーソル周波数、左＝１００ｋＨｚ、右＝５００ｋＨｚ。

Ｅ８．　フルパワーなので、２４Ｖ高速フアンが全回転でクーリング。

ＥＢ．　完成　　２４時間エージング。右は　THORENS　ＴＤ１２５�U．２台目

Ｙ．　ユーザー宅の設置状況。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。 Ｙ１．　設置状況、　全体を、正面から見る。

Ｙ２．　設置状況、　正面から見る。　右は、同時修理品　ＴＡ−Ｅ７

Ｓ．　Ｓｏｎｙ　ＴＡ−Ｎ７　の仕様（マニアル・カタログより）

型式 DCパワーアンプ　ＴＡ−Ｎ７ 実効出力 100W＋100W（８Ω負荷，両チャンネル駆動時に高調波ひずみ率０．０１％で 　　　　　　　　　２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚの帯域内で得られるＲＭＳ出力） 出力帯域幅 5Hz〜35kHz（実効出力−３dB高調波ひずみ率０．０１％　ＩＨＦ） 高調波歪率 実効出力時＝０．０１％（２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ），０．０５％（５Ｈｚ〜５０ｋＨｚ） １０Ｗ出力時＝０．００８％（２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ），０．０２％（５Ｈｚ〜５０ｋＨｚ） １Ｗ出力時＝０．００８％（２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ），０．０２％（５Ｈｚ〜５０ｋＨｚ） 混変調歪率 実効出力時＝0.01％ １０Ｗ出力（等価正弦波出力）時＝０．００８％ １Ｗ出力（等価正弦波出力）時＝０．００８％ 周波数特性 Direct端子：DC〜100kHz +0 -1dB C.Coupled端子：6Hz〜100kHz +0 1dB 残留雑音 ０．０２４ｍＶ（８Ω　Ａネットワーク） SN比 120dB（入力ショート　Ａネットワーク） ダンピングファクター 100（1kHz、8Ω） 入力端子 ＤＩＲＥＣＴ　及び　Ｃ．ＣＯＵＰＬＥ（カットオフ周波数３Ｈｚ，遮断特性６dB/ｏｃｔ 入力感度/入力インピーダンス １．３Ｖ（実効出力１００Ｗを得るに要する入力電圧）/５０ｋΩ 電源 １００Ｖ　５０/６０Ｈｚ 消費電力 215W 外形寸法 幅430×高さ170×奥行335mm（最大突出部寸法，端数切上げ） 重量 21kg（本体のみ） 使用半導体 ＦＥＴ２２石（Ｖ-ＦＥＴ１２石を含む） トランジスタ６２石 ダイオード３４個 価格 １６万円（１９７６年当時）

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